晶振分類
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- 溫補(bǔ)晶振
- 壓控晶振
- 壓控溫補(bǔ)晶振
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- 差分晶振
常見問題
更多>>石英晶體振蕩器353,西迪斯壓控有源晶振,貼片晶振,壓控晶振(VCXO),壓控振蕩器基本解決方案,PECL輸出,輸出頻率60 MHz到200 MHz之間,出色的低相位噪聲和抖動(dòng),三態(tài)功能,應(yīng)用:SDH/SONET,以太網(wǎng),基站,筆記本晶振應(yīng)用,符合RoHS/無鉛.貼片式石英晶體振蕩器,低電壓啟動(dòng)功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.
CTS晶振規(guī)格參數(shù) | 353 |
頻率范圍 | 1.0 MHz~80.0 MHz |
電源電壓 | 2.5V,3.3V,5.0V |
頻率穩(wěn)定度公差 | ±20 ppm,± 25 ppmor ±50ppm |
工作溫度范圍 |
0°C to +50°
-10°C to +60°C-20℃to~+70℃ -40°C to +86°C |
等效串聯(lián)電阻 | 100 Ohms maximum,80 Ohms maximum,60 Ohms maximum |
負(fù)載電容 | 15 pFSeries standard |
激勵(lì)功率 | 10 μW typical, 100 μW maximum |
老化@ + 25°C | ±3 ppm/yr maximum |
絕緣電阻(@直流100 v) | 500M Ohms minimum |
儲(chǔ)存溫度范圍 | -40°C to +100°C |
5032mm體積的石英晶體振蕩器,有源晶振,該產(chǎn)品可驅(qū)動(dòng)2.5V的溫補(bǔ)晶振,壓控晶振,VC-TCXO晶體振蕩器產(chǎn)品,電源電壓的低電耗型,編帶包裝方式,可對應(yīng)自動(dòng)高速貼片機(jī)自動(dòng)焊接,及IR回流焊接(無鉛對應(yīng)),為無鉛產(chǎn)品,超小型,質(zhì)地輕.產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用到集成電路,程控交換系統(tǒng),無線發(fā)射基站.
CTS是一家專業(yè)石英頻率控制元件制造商.主要產(chǎn)品包括『石英振蕩子』、『石英晶體振蕩器』、『壓控石英振蕩器』、『溫度補(bǔ)償石英振蕩器』技術(shù)的制造商,完整的產(chǎn)品線提供一次性購足的服務(wù).產(chǎn)品主要面向?yàn)閲鴥?nèi)通信,衛(wèi)星導(dǎo)航,GPS,車載多媒體,電腦主板,筆記本,電子數(shù)碼選擇應(yīng)用領(lǐng)域
CTS晶體科技股份有限公司,依據(jù)‘ISO 14001環(huán)境/OHSAS-18001安衛(wèi)管理系統(tǒng)’要求制定本‘環(huán)境/安衛(wèi)手冊’,以界定本公司環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)之范圍,包括任何排除之細(xì)節(jié)及調(diào)整,并指引環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)與各書面、辦法書之對應(yīng)關(guān)系,包含在環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)內(nèi)之流程順序及交互作用的描述.本公司環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)之適用范圍包含公司所有的活動(dòng)、產(chǎn)品及服務(wù).
CTS晶體科技股份有限公司藉由環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)的推動(dòng)執(zhí)行,以整合內(nèi)部資源,奠定經(jīng)營管理的基礎(chǔ).藉執(zhí)行環(huán)境考量面/安衛(wèi)危害鑒別作業(yè),環(huán)境/安衛(wèi)管理方案和內(nèi)部稽核為手段,合理化推動(dòng)環(huán)境/安衛(wèi)管理,落實(shí)環(huán)境/安衛(wèi)系統(tǒng)有效實(shí)施.并不斷透過教育訓(xùn)練灌輸員工環(huán)境/安衛(wèi)觀念及意識(shí),藉由改善公司制程以達(dá)到污染預(yù)防、工業(yè)減廢、安全與衛(wèi)生、符合法規(guī)要求使企業(yè)永續(xù)發(fā)展減少環(huán)境/安衛(wèi)負(fù)擔(dān),并滿足客戶需求,獲得客戶的信賴而努力.
(1) 串聯(lián)諧振頻率及并聯(lián)諧振頻率 ( fs , fp )
(series resonance frequency and parallel resonance frequency)
(2) 諧振頻率及反諧振頻率 ( fr , fa )
(resonance frequency and anti-resonance frequency)
(resonance frequency and anti-resonance frequency)
(3) 最大電導(dǎo)頻率及最小電導(dǎo)頻率 ( fm , fn )
(maximum admittance frequency minimum admittance frequency).
(maximum admittance frequency minimum admittance frequency).
這三組頻率的導(dǎo)納(admittance)圖, 可以從(圖九)復(fù)數(shù)坐標(biāo)清楚的看到
﹝Fig.9﹞ Complex Admittance of Resonators
串聯(lián)偕振頻率及并聯(lián)偕振頻率, fs and fp ,是分別由電導(dǎo)(real part of the admittance)最大和阻抗(real part of the electric input impedance)最大時(shí)的頻率.
諧振頻率及反諧振頻率, fr and fa , 分別是當(dāng)電導(dǎo)等于零(純電阻特性)的二個(gè)頻率. 在這個(gè)時(shí)候, fr 的阻抗為 1 / Rr 而fa 的阻抗為 1/ Ra.
在評估共振時(shí)的等效線路時(shí), 串聯(lián)
在評估共振時(shí)的等效線路時(shí), 串聯(lián)