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      有源晶振CSX-750P,測(cè)量?jī)x器晶振,西鐵城振蕩器,CSX750PCC24.7040MT

    • 產(chǎn)品型號(hào):75425497
    • 頻率:1.0MHZ~125MHZ
    • 尺寸:5.0*7.0mm
    • 產(chǎn)品介紹:貼片式石英晶體振蕩器,低電壓?jiǎn)?dòng)功率,并且有多種電壓供選擇,“CSX750PCC24.7040MT”,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖...
    • RoHS RoHS2

            有源晶振CSX-750P,測(cè)量?jī)x器晶振,西鐵城振蕩器,“CSX750PCC24.7040MT”貼片式可編程石英晶體振蕩器,低電壓?jiǎn)?dòng)功率,低消耗類型,體積超薄型,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無(wú)鉛.

    西鐵城晶振參數(shù) CSX-750P
    頻率范圍 1.0MHZ~125MHZ
    電源電壓 3.3V,5.0V
    頻率穩(wěn)定度 B: ±50ppm,C±100ppm,E:±50ppm(-40℃~+85℃)
    F:±100ppm(-40℃~+85℃)
    工作溫度范圍 -20℃~+70℃(-40℃~+85℃)
    儲(chǔ)存溫度范圍 -55℃~+125℃
    電流消耗 45mAmax.
    輸出電壓 0.4Vmax.
    輸出負(fù)載 25pFmax.
    上升和下降時(shí)間 4 nsec max.
    啟動(dòng)時(shí)間 10 msec max.
    輸入電壓 0.8Vmax.
    禁用當(dāng)前 30 mAmax.




               “CSX750PCC24.7040MT”從光學(xué)薄膜產(chǎn)品金屬薄膜襯底,我們可以制定超薄薄膜等基質(zhì)玻璃、水晶、氮化鋁和塑料的使用各種膜技術(shù)匹配每個(gè)客戶的要求.還有各種薄膜類型包括電極膜、導(dǎo)體電影,焊料膜、濾光片和高反射涂料以滿足廣泛的需求.例如,在焊料膜的情況下,定制產(chǎn)品與特定的特征在某種程度上客戶想要融化.也至于襯底幾何,我們可以制定好模式三維基質(zhì)四個(gè)表面,和技術(shù)高度評(píng)價(jià).我們也一直在開發(fā)厚膜技術(shù)除了技術(shù)發(fā)展來(lái)提高性能和耐久性高反射涂層.

           西鐵城集團(tuán)以“市民喜愛市民做出貢獻(xiàn)”的企業(yè)理念為基礎(chǔ),“CSX750PCC24.7040MT”世界人民和地球環(huán)境考慮項(xiàng)目活動(dòng)的過(guò)程中,人能安心生活富裕市民社會(huì)可持續(xù)發(fā)展做出貢獻(xiàn).西鐵城晶振均符合無(wú)鉛環(huán)保標(biāo)準(zhǔn),環(huán)境相關(guān)的法令、條例、規(guī)定、協(xié)議等的要求,遵守環(huán)境負(fù)荷的降低和防止污染的努力.工廠、辦公室的節(jié)能、省資源、資源循環(huán)、化學(xué)物質(zhì)的適當(dāng)管理.在防止全球變暖及循環(huán)型社會(huì)做出貢獻(xiàn).采購(gòu)和供應(yīng)等客戶合作,減少溫室氣體排放,資源的有效利用,產(chǎn)品中含有化學(xué)物質(zhì)的管理加強(qiáng)努力.


            “CSX750PCC24.7040MT”公民Finetech Miyota為工業(yè)市場(chǎng)提供高性能和精密設(shè)備,不斷開發(fā)新技術(shù)和新技術(shù)在西鐵城的制造業(yè)和工程.良好的信譽(yù)在市場(chǎng)上特別是對(duì)其高精密零件使用自己的核心技術(shù)和脆性材料和micro-displays高清圖片是必需的.是盡一切努力來(lái)改善自身的技術(shù)和發(fā)展提供有價(jià)值的服務(wù)我們的客戶,即使這是一個(gè)利基市場(chǎng).公民Finetech Miyota奉行的管理政策是“標(biāo)題作為紀(jì)念公司保持活著在這個(gè)時(shí)代”.
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