晶振分類
- 晶振系列
- 陶瓷晶振
- 陶瓷濾波器
- 微孔霧化片
- 希華晶體
- 石英晶振
- SMD晶振
- 聲表面諧振器
- NSK晶振
- TXC晶振
- 臺灣加高晶振
- 臺灣鴻星晶振
- 百利通亞陶晶振
- 臺灣泰藝晶振
- AKER晶振
- NKG晶振
- 進(jìn)口晶振
- KDS晶振
- 精工晶振
- 村田晶振
- 西鐵城晶振
- 愛普生晶振
- 亞陶,嘉碩晶體
- CTS晶體
- 京瓷晶振
- NDK晶振
- 大河晶振
- 瑪居禮晶振
- 富士晶振
- NAKA晶振
- SMI晶振
- NJR晶振
- 移動設(shè)備
- 數(shù)碼電子
- 通信網(wǎng)絡(luò)
- 醫(yī)療電子
- 安防GPRS導(dǎo)航
- 汽車電子
- 歐美晶振
- Abracon晶振
- 康納溫菲爾德晶振
- 日蝕晶振
- ECS晶振
- 高利奇晶振
- 格林雷晶振
- IDT晶振
- JAUCH晶振
- Pletronics晶振
- 拉隆晶振
- Statek晶振
- SiTime晶振
- 維管晶振
- 瑞康晶振
- 微晶晶振
- AEK晶振
- AEL晶振
- Cardinal晶振
- Crystek晶振
- Euroquartz晶振
- Fox晶振
- Frequency晶振
- GEYER晶振
- KVG晶振
- ILSI晶振
- Mmdcomp晶振
- MtronPTI晶振
- QANTEK晶振
- QuartzCom晶振
- Quarztechnik晶振
- Suntsu晶振
- Transko晶振
- Wi2Wi晶振
- ACT晶振
- MTI-milliren晶振
- Lihom晶振
- Rubyquartz晶振
- Oscilent晶振
- SHINSUNG晶振
- ITTI晶振
- PDI晶振
- IQD晶振
- Microchip晶振
- Silicon晶振
- Anderson晶振
- Fortiming晶振
- CORE晶振
- NIPPON晶振
- NIC晶振
- QVS晶振
- Bomar晶振
- Bliley晶振
- GED晶振
- FILTRONETICS晶振
- STD晶振
- Q-Tech晶振
- Wenzel晶振
- NEL晶振
- EM晶振
- PETERMANN晶振
- FCD-Tech晶振
- HEC晶振
- FMI晶振
- Macrobizes晶振
- AXTAL晶振
- Sunny晶振
- ARGO晶振
- 石英晶體振蕩器
- 有源晶振
- 溫補晶振
- 壓控晶振
- 壓控溫補晶振
- 恒溫晶振
- 差分晶振
常見問題
更多>>
- 產(chǎn)品型號：81416514
- 頻率：32.768KHZ
- 尺寸：2.05*1.2mm
- 產(chǎn)品介紹：小型,薄型,輕型的"X1A000061000300"表面貼片音叉型晶體諧振器,具備優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場領(lǐng)域,在辦公自動化,家電領(lǐng)域...
-
數(shù)字顯示器晶振FC-12M,表晶32.768K,愛普生石英晶振,X1A000061000300
愛普生.jpg)
數(shù)字顯示器晶振FC-12M,表晶32.768K,愛普生石英晶振,小型,薄型,輕型的表面貼片音叉型晶體諧振器,具備優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,特別適用于"X1A000061000300"有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場領(lǐng)域,在辦公自動化,家電領(lǐng)域,移動通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,符合ROHS/無鉛標(biāo)準(zhǔn).
.jpg)
| 項目 | 符號 | 規(guī)格說明 | 條件 | ||
|---|---|---|---|---|---|
| FC-12D | FC-12M | ||||
| 額定頻率范圍 | f_nom | 32.768kHz | 32.768kHz | 32kHz to77.5kHz | 請聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息 |
| 儲存溫度 | T_stg | -55 °C to +125 °C | 裸存 | ||
| 工作溫度 | T_use | -40 °C to +85 °C | |||
| 激勵功率 | DL | 0.25μW Max. | 0.5μW Max. | ||
| 頻率公差（標(biāo)準(zhǔn)） | f_tol | ±20×10-6 |
±20 × 10-6 ±30 × 10-6 |
+25 °C,DL=0.1 μW 如需更嚴(yán)格的公差,請聯(lián)系我們 |
|
| 拐點溫度 | Ti | +25 °C±5 °C | |||
| 頻率溫度系數(shù) | B | -0.04 × 10-6/ °C2 Max | |||
| 負(fù)載電容 | CL | 7pF,9pF,12.5pF | 12.5pF | 可指定 | |
| 串聯(lián)電阻（ESR） | R1 | 75kΩ Max. | 90kΩ Max. | 90kΩ to 65kΩ | |
| 串聯(lián)電容 | C1 | 3.7fF Typ. | 6.4fF Typ. | 7.0fF to 2.7fF | |
| 分路電容 | C0 | 0.8 pF Typ. | 1.3pF Typ. | 1.6pF to 0.8pF | |
| 頻率老化 | f_age | ±3 ×10-6 / year Max | +25 °C, 第一年 | ||
.jpg)
.jpg)
負(fù)載電容:振蕩線路上的”負(fù)載電容(load capacitance)”定義為:從石英晶體共振子的兩個端子看向振蕩線路所遭遇到的所有電容值. 負(fù)載電容在線路上可以與石英晶體"X1A000061000300"共振子以并聯(lián)(parallel)或以串聯(lián)(series)的方示連接. 以并聯(lián)方式連接的振蕩線路中, 負(fù)載電容(CL)的大小會影響公稱頻率的特性.
愛普生1.jpg)
