晶振分類(lèi)
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- 溫補(bǔ)晶振
- 壓控晶振
- 壓控溫補(bǔ)晶振
- 恒溫晶振
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常見(jiàn)問(wèn)題
更多>>有源晶振SG-636PTF,PCE,SCE,PDE,PTW,STW,PHW,SHW,PCW,SCW,PTG,PHG,PCG,SCG,愛(ài)普生安防振蕩器,貼片晶振,貼片石英晶體,“SG-636PTF 40.0000MC3:ROHS”體積小,焊接可采用自動(dòng)貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場(chǎng)領(lǐng)域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢(shì),耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動(dòng)通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿(mǎn)足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線(xiàn)要求.
愛(ài)普生晶振參數(shù) | SG-636 series | |
頻率范圍 | f0 | 2.0MHZ~41.0MHZ |
電源電壓 | VCC | 5.0V±0.5V/3.3 V±0.3V/2.5 V±0.25V |
儲(chǔ)存溫度 | T_stg | -55℃to +125°C |
工作溫度范圍 | T_use | 20°C to +70°C |
頻率公差 | f_tol | ±50×10-6/ ±100×10-6 |
電流消耗 | ICC | 45 mA Max. |
禁用當(dāng)前 | I_dis | 30 mA Max. |
待機(jī)電流 | I_std | 50 чA Max. |
占空比 | SYM | 40%to60% |
高輸出電壓 | VOH | VCC-0.4 V Min. |
低輸出電壓 | VOL | 0.4 V Max. |
輸出負(fù)載條件(TTL)* 1 | L_TTL | 5 TTL Max. |
輸出負(fù)載條件(CMOS) |
L_CMOS | 15pF Max. |
靜止啟用 | VIH/VIL | 2.0 V Min./0.8 V Max. |
上升時(shí)間和下降時(shí)間 | tr/ tf | 4 ns Max. |
啟動(dòng)時(shí)間 | t_str | 10 ms Max. |
頻率老化 | f_aging |
±5 ×10-6 / year Max. |