晶振分類(lèi)
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- 壓控溫補(bǔ)晶振
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常見(jiàn)問(wèn)題
更多>>諧振器8Q,1612石英晶振,超小型貼片晶振 1612mm體積非常小的SMDcrystal器件,是民用小型無(wú)線數(shù)碼產(chǎn)品的最佳選擇,小體積的晶振"8Q-24.000MEEV-T"被廣泛應(yīng)用到,手機(jī)藍(lán)牙,GPS定位系統(tǒng),無(wú)線通訊集,高精度和高頻率的穩(wěn)定性能,非常好的減少電磁干擾的影響,是民用無(wú)線數(shù)碼產(chǎn)品最好的選擇,符合RoHS/無(wú)鉛.
型號(hào) | 8Q |
頻率范圍 | 24~54MHZ |
頻率穩(wěn)定度 | A:±100 B:±50 C: ±30 D: ±25 |
輸出電平 | CMOS |
工作溫度 | -10℃~+60℃,-20℃~+70℃,或客戶(hù)要求 |
保存溫度 | -40℃~+85℃ |
負(fù)載電容 | 15pF |
輸出對(duì)稱(chēng) | 40% ~ 60% or 45% ~ 55%(at 55%V DC) |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
3000/pcs |
請(qǐng)測(cè)量使用示波器或頻率計(jì)數(shù)器晶體的兩個(gè)端子的信號(hào),如果頻率不在規(guī)定范圍內(nèi),它的輸出波形的幅度是不夠的(例如超過(guò)+/-200ppm的),請(qǐng)按照如下步驟:
The formula for Capacitances versus Frequency is as following:
該公式的電容與頻率是如下"8Q-24.000MEEV-T":
The formula for Capacitances versus Frequency is as following:
該公式的電容與頻率是如下"8Q-24.000MEEV-T":
FL = FR * (1 + C1 / 2 * (C0 + CL) ) where
該曲線代表電容變化與頻率變化(頻率pullability)變化的變化:
如果由頻率計(jì)數(shù)器測(cè)量的頻率比目標(biāo)頻率高,要增加電容(CL,或Cd以及C 8)的值,以降低頻率到目標(biāo)頻率,反之亦然.請(qǐng)檢查波形幅度是否改善或沒(méi)有經(jīng)過(guò)我們調(diào)整頻率.如果它的改善,這表示該電路的原始設(shè)計(jì)不是調(diào)諧到最佳共振點(diǎn)為晶體的情況.該晶體應(yīng)正常后,諧振點(diǎn)的調(diào)整.如果波形幅度甚至沒(méi)有提高的頻率非常接近目標(biāo)頻率,我們可以通過(guò)以下三種方法改進(jìn):
方法1:降低產(chǎn)品線路外部電容(Cd和CG)的值,并通過(guò)晶體具有較低負(fù)載電容(CL).
方法2:采用小電阻(RR)的晶體.
方法3:使用鎘和CG的不等價(jià)的設(shè)計(jì).
我們可以增加鎘(XOUT)的負(fù)載電容和降低CG(辛)的負(fù)載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出.我們建議您使用上面的方法來(lái)節(jié)省成本,保證安全.請(qǐng)用頻率計(jì)數(shù)器來(lái)測(cè)量所述"8Q-24.000MEEV-T"晶體,以確保經(jīng)調(diào)整頻率仍然滿(mǎn)足原說(shuō)明書(shū)后的波形的振幅進(jìn)行了改進(jìn).如果頻率不符合規(guī)格,請(qǐng)采用晶體合適的CL值為根據(jù)您的目標(biāo)頻率.請(qǐng)采用晶體具有較低的CL如果頻率比目標(biāo)頻率,反之亦然高得多系統(tǒng)不能正常工作,由于輸出頻率會(huì)偏差很大.
該曲線代表電容變化與頻率變化(頻率pullability)變化的變化:
如果由頻率計(jì)數(shù)器測(cè)量的頻率比目標(biāo)頻率高,要增加電容(CL,或Cd以及C 8)的值,以降低頻率到目標(biāo)頻率,反之亦然.請(qǐng)檢查波形幅度是否改善或沒(méi)有經(jīng)過(guò)我們調(diào)整頻率.如果它的改善,這表示該電路的原始設(shè)計(jì)不是調(diào)諧到最佳共振點(diǎn)為晶體的情況.該晶體應(yīng)正常后,諧振點(diǎn)的調(diào)整.如果波形幅度甚至沒(méi)有提高的頻率非常接近目標(biāo)頻率,我們可以通過(guò)以下三種方法改進(jìn):
方法1:降低產(chǎn)品線路外部電容(Cd和CG)的值,并通過(guò)晶體具有較低負(fù)載電容(CL).
方法2:采用小電阻(RR)的晶體.
方法3:使用鎘和CG的不等價(jià)的設(shè)計(jì).
我們可以增加鎘(XOUT)的負(fù)載電容和降低CG(辛)的負(fù)載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出.我們建議您使用上面的方法來(lái)節(jié)省成本,保證安全.請(qǐng)用頻率計(jì)數(shù)器來(lái)測(cè)量所述"8Q-24.000MEEV-T"晶體,以確保經(jīng)調(diào)整頻率仍然滿(mǎn)足原說(shuō)明書(shū)后的波形的振幅進(jìn)行了改進(jìn).如果頻率不符合規(guī)格,請(qǐng)采用晶體合適的CL值為根據(jù)您的目標(biāo)頻率.請(qǐng)采用晶體具有較低的CL如果頻率比目標(biāo)頻率,反之亦然高得多系統(tǒng)不能正常工作,由于輸出頻率會(huì)偏差很大.
臺(tái)灣晶技電子立基臺(tái)灣,是一家專(zhuān)業(yè)石英頻率控制元件制造商.引進(jìn)日本精密製程、產(chǎn)品設(shè)計(jì)技術(shù)及講究的品質(zhì)管理工法,進(jìn)而累積扎實(shí)的研發(fā)能力.我們"8Q-24.000MEEV-T"擁有廣泛的產(chǎn)品規(guī)格及客制化服務(wù),應(yīng)用范圍涵蓋日常消費(fèi)產(chǎn)品 (如:網(wǎng)路與通訊產(chǎn)品、智慧家庭和個(gè)人電腦)、高階工業(yè)產(chǎn)品和車(chē)用電子封焊,以保證產(chǎn)品的老化率符合要求.
2003年通過(guò)ISO14001環(huán)境管理系統(tǒng)驗(yàn)證,秉持“污染預(yù)防、持續(xù)改善”之原則,公司事業(yè)廢棄物產(chǎn)出量逐年降低,可回收、再利用之廢棄物比例逐年提高,各項(xiàng)排放檢測(cè)數(shù)據(jù)符合政府法規(guī)要求.并由原材料管控禁用或限用環(huán)境危害物質(zhì)與國(guó)際大廠對(duì)于綠色生產(chǎn)及綠色產(chǎn)品"8Q-24.000MEEV-T"的要求相符,于2004年通過(guò)SONY 綠色伙伴(Green Partner)驗(yàn)證. ,如果我們產(chǎn)品中的物質(zhì)會(huì)對(duì)環(huán)境造成污染,影響到人類(lèi)生存的基本條件,不論產(chǎn)品的功能再先進(jìn)再齊全,也無(wú)法對(duì)環(huán)境與社會(huì)帶來(lái)多大的幫助.