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晶振分類

常見問(wèn)題

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    • 首頁(yè)歐美晶振SiTime晶振SiTime晶振,貼片晶振,SiT1532晶振

      SiTime晶振,貼片晶振,SiT1532晶振

    • 產(chǎn)品型號(hào)：9608951
    • 頻率：32.768KHZ
    • 尺寸：1.5*0.8mm
    • 產(chǎn)品介紹：32.768K時(shí)鐘晶體具有小型,薄型,輕型的貼片晶振表面音叉型晶體諧振器,產(chǎn)品具有優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,可發(fā)揮晶振優(yōu)良的電氣特性,符合RoHS規(guī)定,滿足無(wú)鉛焊接的高溫...
    • RoHS RoHS2
           SiTime晶振公司在MEMS(微機(jī)電系統(tǒng))技術(shù)、模擬CMOS電路設(shè)計(jì)和開發(fā)方面具有深厚的技術(shù)專長(zhǎng)，并具有成本效益的組裝和測(cè)試。這些專業(yè)技術(shù)的結(jié)合，都是在SiTime內(nèi)部進(jìn)行的，在計(jì)時(shí)行業(yè)中是獨(dú)一無(wú)二的，推動(dòng)創(chuàng)新的速度要比quartz快得多。SiTime的創(chuàng)新和領(lǐng)導(dǎo)力正在給計(jì)時(shí)行業(yè)帶來(lái)變革。
           SiTime的MEMS技術(shù)起源于博世和斯坦福大學(xué)。在我們的創(chuàng)始人創(chuàng)立SiTime之前，他們花了數(shù)年時(shí)間，在德國(guó)的博世和加州的帕洛阿爾托研發(fā)挽救生命的MEMS解決方案。自2005年成立以來(lái)，SiTime公司開發(fā)了幾代先進(jìn)的kHz和MHz MEMS諧振器，有源晶振它們具有最高的性能、最小的漂移、最小的尺寸和最好的可靠性。我們還開發(fā)了一個(gè)全面的開發(fā)和仿真平臺(tái)，確保了我們所有MEMS諧振器的第一個(gè)硅成功

           SiTime晶振,貼片晶振,SiT1532晶振，小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也試產(chǎn)品帶來(lái)了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點(diǎn),SMD高速自動(dòng)安裝和高溫回流焊設(shè)計(jì),Optionable待機(jī)輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍：1.8V?5 V,高穩(wěn)定性,低抖動(dòng),低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無(wú)線通訊,高端智能手機(jī),平板筆記本W(wǎng)LAN,藍(lán)牙,數(shù)碼相機(jī),DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無(wú)鉛.
           石英晶振在選用晶片時(shí)應(yīng)注意溫度范圍、晶振溫度范圍內(nèi)的頻差要求,貼片晶振溫度范圍寬時(shí)(-40℃-85℃)晶振切割角度比窄溫(-10℃-70℃)切割角度應(yīng)略高.對(duì)于晶振的條片,長(zhǎng)邊為 X 軸,短邊為 Z 軸,面為 Y 軸.對(duì)于圓片晶振,X、Z 軸較難區(qū)分,所以石英晶振對(duì)精度要求高的產(chǎn)品(如部分定單的 UM-1),會(huì)在 X 軸方向進(jìn)行拉弦(切掉一小部分),以利于晶振的晶片有方向的裝架點(diǎn)膠,點(diǎn)膠點(diǎn)點(diǎn)在 Z 軸上.保證晶振產(chǎn)品的溫度特性.SiT1532晶振,32.768K振蕩器,貼片有源晶振
    晶振規(guī)格參數(shù) SiT1532晶振
    頻率范圍 32.768KHZ
    頻率穩(wěn)定度公差 ±10ppm，±20ppm
    工作溫度范圍  -40 °C ~ +85 °C
    儲(chǔ)存溫度范圍 -55°C to +125°C
    頻率校準(zhǔn)@ 25°C  
    電源電壓 1.2~3.63V
    老化@ + 25°C ±1 ppm/yr 
    輸出類型 CMOS
    負(fù)載電容 15 pF
    		 



    晶體諧振器
           如果過(guò)大的激勵(lì)電力對(duì)石英晶體諧振器外加電壓,有可能導(dǎo)致特性老化或損壞,因此請(qǐng)?jiān)谛麄鲀?cè)、規(guī)格書中規(guī)定的范圍內(nèi)使用.讓無(wú)源晶振振蕩的電路寬裕度大致為負(fù)性阻抗值.本公司推薦此負(fù)性阻抗為諧振器串聯(lián)電阻規(guī)格值的5倍以上,若是車載和安全設(shè)備,則推薦10倍以上.SiTime晶振,貼片晶振,SiT1532晶振
    晶體振蕩器
           晶體振蕩器的內(nèi)部電路使用C-MOS.閉鎖、靜電對(duì)策請(qǐng)和一般的C-MOS IC一樣考慮.有些石英晶體振蕩器沒(méi)有和旁路電容器進(jìn)行內(nèi)部連接.使用時(shí),請(qǐng)?jiān)赩dd-GND之間用0.01μF左右的高頻特性較好的電容器(陶瓷片狀電容器等)以 最短距離連接.關(guān)于個(gè)別機(jī)型請(qǐng)確認(rèn)宣傳冊(cè)、規(guī)格書.SiT1532晶振,32.768K振蕩器,貼片有源晶振
    晶體濾波器
           注意電路板圖形的配置,避免輸入端子和輸出端子靠得太近.如果貼裝晶體濾光片的電路板的雜散電容較大,為了消除該雜散電容,有時(shí)需要配置調(diào)諧電路.如果過(guò)大的激勵(lì)電力對(duì)諧振器外加電壓,有可能導(dǎo)致特性老化或損壞,因此請(qǐng)?jiān)跒V波器的輸入電平在−10dBm以下的狀態(tài)下使用.
           SiTime晶振集團(tuán)實(shí)施創(chuàng)新戰(zhàn)略,提高自主創(chuàng)新能力,確保公司可持續(xù)發(fā)展.實(shí)施節(jié)約戰(zhàn)略,提高建設(shè)節(jié)約環(huán)保型企業(yè)能力,確保實(shí)現(xiàn)節(jié)能環(huán)保規(guī)劃目標(biāo).致力于環(huán)境保護(hù),包括預(yù)防污染.在可編程晶體振蕩器產(chǎn)品的規(guī)劃到制造、運(yùn)行維修等整個(gè)過(guò)程中,努力提供環(huán)保型的產(chǎn)品和服務(wù).SiTime晶振,貼片晶振,SiT1532晶振
           SiTime晶振,貼片晶振,石英晶體振蕩器在“制造、使用、有效利用、再利用”這樣一個(gè)進(jìn)口振蕩器產(chǎn)品生命周期中,努力創(chuàng)造豐富的價(jià)值,給社會(huì)帶來(lái)溫馨和安寧,感動(dòng)和驚喜,同時(shí)為減少環(huán)境影響,努力做好“防止地球變暖、有效利用資源、對(duì)化學(xué)物質(zhì)進(jìn)行管理”,實(shí)現(xiàn)與地球的和諧相處.SiT1532晶振,32.768K振蕩器,貼片有源晶振
           對(duì)我們的32.768K石英振蕩子產(chǎn)品進(jìn)行檢驗(yàn),同時(shí)告知我們的員工顧客以及公眾,如何安全的使用,如何使用對(duì)環(huán)境影響較小,幫助我們的雇員合同方商業(yè)伙伴服務(wù)提供上理解他們的行為如何影響著環(huán)境.公司的各項(xiàng)能源、資源消耗指標(biāo)和排放指標(biāo)達(dá)到國(guó)內(nèi)領(lǐng)先、國(guó)際先進(jìn)水平.

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